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晶体材料国家重点实验室在有机晶体生长方法研究方面取得重要进展
日期:2018年04月12日     

    有机晶体在衬底上的原位集成是有机光电器件应用的基础,在几十年的研究中只能采用溶液法和物理气相沉积法制备有机单晶。由于受低溶解度和复杂的工艺等限制,通常有机单晶器件只能作材料基本性质和极限性能的展示,并不能大规模应用。
    晶体材料国家重点实验室刘阳和陶绪堂课题组经过悉心钻研,开发了一种全新的“微距空气升华法”原位生长有机晶体。该方法无需真空,速度快,适用材料范围广。其重要特征在于原料与衬底之间的超微距离,因而使晶体生长遵循气体-熔体-晶体的新机理,可以制备高质量的单晶。该研究以最具代表性的有机半导体材料红荧烯单晶场效应器件为例,获得了同类结构器件的最高迁移率记录。
    该研究工作发明的方法具有成本低、易操作,适用范围广的优点,将极大地促进有机半导体晶体的研发。研究成果于近期在国际学术期刊Chemistry of Materials上发表,并入选美国化学学会推荐论文。